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淺析薄膜電容器使用常見故障和解決方法

        薄膜電容器具有許多優(yōu)良特性，無極性、絕緣電阻高、頻率特性優(yōu)良（頻率響應寬）、介電損耗低。因此，薄膜電容器廣泛用于模擬電路。薄膜電容的電流運行是有規(guī)律的，在使用薄膜電容時，我們會發(fā)現(xiàn)電流異常。這個時候，我們應該如何處理這個問題。
        薄膜電容器容易出現(xiàn)故障
        薄膜電容器的制造和極化類似于鋁電解電容器的制造方法，但其儲存時間不受限制，可以在沒有直流極性的情況下長時間工作。瞬時反向電壓一般不會損壞電容器，但鋁電解電容器不同。
        在實際應用中，并不總是存在直流偏置電壓。也可制造無極性鉭電容，但價格較貴，存放后可能無法使用。如果兩個相同的鉭電容背對背串聯(lián)連接，就可以得到一個無極性的電容?？傠娙轂槊總€串聯(lián)電容的一半，即C/2。
        接通性能好的薄膜電容器時，萬用表的指針應有較大的擺動；薄膜電容容量越大，針的擺幅越大。擺動后，針可逐漸回到零位。 .如果在通電的瞬間萬用表的指針不擺動，則說明電容器無效或開路；如果指針一直指示電源電壓而沒有擺動，則表明電容器已短路；如果指針擺動正常，則不會歸零。 ，這說明電容有漏電流現(xiàn)象。
         1、范圍內電流選擇不當
        范圍內電流選擇不當，產生較多位置的是直流維持和簡諧振動部分。如果要求的電流值大于薄膜電容器的允許電流值，就會引起薄膜電容器的發(fā)熱效應。長期高溫運行會使薄膜電容器的使用壽命大大降低，甚至可能發(fā)生爆炸甚至著火。在配置測試中，允許通過專用電流探頭或其他方法測量實際所需的峰值電流，然后調整電容器的參數?？稍诠β仕p測試中配置，對薄膜電容器的溫升進行測量，根據薄膜電容器的允許溫升參數識別薄膜電容器設備的選擇是否合適。
        二、不當的接線方法
        接線方式不當，關鍵在于薄膜電容的多路并聯(lián)使用。由于布線方法和布線間隔的不同，電子電路中每個并聯(lián)薄膜電容器的分流器是不同的。表現(xiàn)為多個薄膜電容并聯(lián)，每個的溫升不一樣。一些地方的薄膜電容器溫升過高，造成損壞事故。因此，對于薄膜電容器的并聯(lián)運行，需要進行適當的接線和連接，盡可能做到平均，提高薄膜電容器的使用壽命。
        三、電壓超出規(guī)定范圍
        超出規(guī)定范圍的電壓，產生最多的方面是簡諧振動部分。開發(fā)者應根據配置的功率、輸入電壓、電路拓撲、負載磁導率、電子電路Q因數等參數綜合考慮后初步規(guī)劃。樣機開始滿足條件后，實際測量輸出功率配置時薄膜電容兩側的電峰值和串聯(lián)諧振參數，進一步判斷所用薄膜電容的型號和參數是否符合要求準確的。
        筆墨電容故障案例分析及解決方法
        我曾經在400V開關中使用過PGJ1-5無功補償屏。屏內有10個BCMJ并聯(lián)電容器，每個電容器的額定輸出為16kVar，額定電壓為0 . 4kV，額定電流25A，溫度類別-25C/45C連接。對這兩起事故的原因進行了認真分析和*處理。
        失敗原因
        環(huán)境溫度高
        該無功補償屏安裝在400V開關柜內。房間內有8個開關柜，面積為30m2。對面是SZ7-800kVA 35kV/0.4變壓器室。整體通風條件差，熱十字開關室內溫度高達48C以上?？梢姡h(huán)境溫度高是造成電容器爆炸的原因之一。補償屏應移至單獨的通風控制室，并在電容器外側張貼蠟片（溫度指示片）。值班人員可以要求地面從顯示的溫度中監(jiān)測電容介質的溫度。
        電壓極不穩(wěn)定
        由公式QC=2π fCV2可知：電容器的無功容量與電壓的平方成正比。當電壓下降時，電容器的無功容量會與電音樂的平方成正比下降，即電容器的容量沒有得到充分利用。當工作電壓升高時，電容器的溫升會增加，甚至會破壞電容器的熱平衡，導致電容器爆炸。因此，由于標準規(guī)定：電容器允許在1.1倍額定電壓下長時間運行，但每24小時內以1.15倍額定電壓運行的時間不得超過30分鐘。
        電壓極不穩(wěn)定，電壓波動范圍為0. 9Ue － 1.15Ue（Ue為400V的額定電壓），谷底期間功耗常在450V左右，運行時間長達Th。這是造成電容器爆炸和燒毀的第二個原因。由于SZ7-800kVA電力變壓器是有載調壓儀表，解決這個問題只需要一臺KYT-2型有載調壓控制器，投資即可隨時控制電壓不到一千元。對于額定電壓
        諧波電流的存在
        采用大功率可檢測整流器作為旋轉密集直流電源與補償屏并聯(lián)工作。由于接入電網的晶閘管器件客觀運行，起到高次諧波發(fā)生器的作用，會引起電路電壓和電流的波形畸變。諧波電流的存在往往會導致電容器出現(xiàn)異常噪聲，嚴重時會導致電容器膨脹。這是電容器爆炸的第三個原因。造成這種情況的主要原因有：（1）高次諧波電流疊加在基波電流上，使電容器的總電流增加：（2）系統(tǒng)電感與被控端之間產生一定的高次諧波。電容器的容抗。并聯(lián)諧振使流入電容器的電流忠實地增加： (3) 電容器內部對某一高次諧波發(fā)生部分串聯(lián)諧振，造成過載。
        措施
        為了防止這些情況的發(fā)生，可以在補償電容器組的每一相串聯(lián)一個空心電抗器來限制電流。電容器電路的組合電抗成為高次諧波的感抗。在高次諧波被子中，3次諧波被變壓器的三角洲連續(xù)壓著短路，所以這是1：1對5次諧波的測量。如果選擇串聯(lián)電抗器當5次諧波的電抗發(fā)生共振時，5次諧波短路。對于5次諧波鈹以上的高次諧波，由于電容電路變?yōu)楦行裕ㄐ蔚玫礁纳?，根樹：消除諧振的可能性。反諧振串聯(lián)空心電抗器的電抗可計算：
        表示 XL "49% XC
        其中： L-串聯(lián)電抗器的電感，H：
         C-補償電容的容量，F(xiàn)：
         XL One-串聯(lián)電抗器的感抗，Q：
         XC——補償電容的容抗，0。
        可以看出串聯(lián)電抗器的電抗約為容抗的4%以上：OK?？紤]到系統(tǒng)頻率較低，出現(xiàn)$時電容器的容量會降低。實際上，感抗為 5% 至 6% XC。